銑床X5032與銑床X52K的工作電壓分為內核電壓和I/O電壓兩種，通常CPU的核心電壓小于等于I/O電壓。其中銑床X5032與銑床X52K的內核電壓的大小是根據CPU的生產工藝而定，一般制作工藝越小，內核工作電壓越低；I/O電壓一般都在1.6~5V。銑床X5032與銑床X52K的低電壓能解決耗電過大和發熱過高的問題。技術架制造工藝的微米是指IC內電路與電路之間的距離。制造工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發展。銑床X5032與銑床X52K的密度愈高的IC電路設計，意味著在同樣大小面積的IC中，可以擁有密度更高、功能更復雜的電路設計。現在銑床X5032與銑床X52K主要的180nm、130nm、90nm、65nm、45納米。intel已經于2010年發布32納米的制造工藝的酷睿i3/酷睿i5/酷睿i7系列。并且銑床X5032與銑床X52K已有發布22nm與15nm產品的計劃。而AMD則表示、自己的產品將會直接跳過32nm工藝（2010年第三季度生產少許32nm產品、如Orochi、Llano）于2011年中期初發布28nm的產品也稱為復雜指令集，英文名是CISC，（Complex Instruction Set Computer的縮寫）。銑床X5032與銑床X52K在CISC微處理器中，程序的各條指令是按順序串行執行的，每條指令中的各個操作也是按順序串行執行的。銑床X5032與銑床X52K順序執行的優點是控制簡單，但計算機各部分的利用率不高，執行速度慢。